一般
| ベース品番 | HN1B04 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 150MHz |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | US6 |
環境条件
| 動作温度 | 125°C (TJ) |
|---|