GT50JR21(STA1,E,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

GT50JR21(STA1,E,S)

データシート

アナログ・電源

PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

量産中TO-3P-3, SC-65-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

入力タイプStandard
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A

電気特性

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Power - Max230 W

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-3P(N)

環境条件

動作温度175°C(TJ)