一般
| Gate Charge | 185 nC |
|---|---|
| 入力タイプ | Standard |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Switching Energy | -, 700µJ (off) |
| Test Condition | 300V, 40A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Gate Charge | 185 nC |
|---|---|
| 入力タイプ | Standard |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Switching Energy | -, 700µJ (off) |
| Test Condition | 300V, 40A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Power - Max | 312 W |
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247 |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
|---|