一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | 2SJ168 |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 85 pF @ 10 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| 最大消費電力 | 200mW (Ta) |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SC-59 |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|