一般
| ベース品番 | 2SD2695 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 900 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92MOD |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|