一般
| ベース品番 | 2SC3669 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SC-71 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | MSTM |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|