一般
| ベース品番 | 2SB906 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 300mA, 3A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 9MHz |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PW-MOLD |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|