一般
| ベース品番 | 2SA1943 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 230 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 150 W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|