TPS1101DR

Texas Instruments

TPS1101DR

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.5A, 10V
ベース品番TPS1101
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.25 nC @ 10 V
メーカーTexas Instruments
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+2V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta)
最大消費電力791mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-40°C~150°C(TJ)