一般
| ベース品番 | CSD86360Q5 |
|---|---|
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 12.5 |
| メーカー | Texas Instruments |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 製品ステータス | 量産中 |
| シリーズ | NexFET™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |