CSD23202W10

Texas Instruments

CSD23202W10

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

量産中4-UFBGA, DSBGAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds512 pF @ 6 V
メーカーTexas Instruments
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズNexFET™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-6V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
最大消費電力1W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-UFBGA, DSBGA
サプライヤーデバイスパッケージ4-DSBGA (1x1)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)