CSD19538Q2

Texas Instruments

CSD19538Q2

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON

量産中6-WDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds454 pF @ 50 V
メーカーTexas Instruments
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズNexFET™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.4A (Ta)
最大消費電力2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ6-WSON (2x2)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)