取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11400 pF @ 20 V |
| メーカー | Texas Instruments |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | NexFET™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 274A (Tc) |
| 最大消費電力 | 250W (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263 (DDPAK-3) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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