CSD16411Q3T

Texas Instruments

CSD16411Q3T

データシート

アナログ・電源

PROTOTYPE

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 12.5 V
メーカーTexas Instruments
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズNexFET™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
最大消費電力35W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)