BQ4013LYMA-70N

Texas Instruments

BQ4013LYMA-70N

メモリ・ストレージ

IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP

旧品種32-DIP Module (0.610", 15.49mm)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間70 ns
ベース品番BQ4013
メーカーTexas Instruments
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間70ns

電気特性

メモリ容量1Mbit
メモリ形式NVSRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 8

機械特性

パッケージTube
Package / Case32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
サプライヤーデバイスパッケージ32-DIP Module (18.42x42.8)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)