一般
| メモリタイプ | Non-Volatile |
|---|---|
| 技術 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| アクセス時間 | 85 ns |
| ベース品番 | BQ4010 |
| メーカー | Texas Instruments |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 書き込みサイクル時間 | 85ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 64Kbit |
|---|---|
| メモリ形式 | NVSRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 電源電圧 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 8K x 8 |
機械特性
| Package / Case | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|