BQ4010LYMA-70N

Texas Instruments

BQ4010LYMA-70N

メモリ・ストレージ

IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP

旧品種28-DIP Module (0.61", 15.49mm)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間70 ns
ベース品番BQ4010
メーカーTexas Instruments
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間70ns

電気特性

メモリ容量64Kbit
メモリ形式NVSRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3V ~ 3.6V
Memory Organization8K x 8

機械特性

パッケージTube
Package / Case28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
サプライヤーデバイスパッケージ28-DIP Module (18.42x37.72)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)