TSM200N03DPQ33

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM200N03DPQ33

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN

量産中8-PowerWDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 10A, 10V
ベース品番TSM200
構成2 N-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds345pF @ 25V
メーカーTaiwan Semiconductor Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Power - Max20W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-PDFN (3x3)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)