TSM110NB04LDCR

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM110NB04LDCR

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 10A, 10V
ベース品番TSM110
構成2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1269pF @ 20V
メーカーTaiwan Semiconductor Corporation
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 48A (Tc)
Power - Max2W (Ta), 48W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-PDFN (5x6)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)