STW65N65DM2AG

STMicroelectronics

STW65N65DM2AG

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 60A TO247

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 100 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズMDmesh™ DM2
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大消費電力446W (Tc)

機械特性

パッケージTube

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101