STP80N6F6

STMicroelectronics

STP80N6F6

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 60V 110A TO220

旧品種TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7480 pF @ 25 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
シリーズDeepGATE™, STripFET™ VI
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
最大消費電力120W (Tc)

機械特性

パッケージTube

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101