STP33N60M6

STMicroelectronics

STP33N60M6

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1515 pF @ 100 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズMDmesh™ M6
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
最大消費電力190W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)