STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics

STH60N099DM9-2AG

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

量産中TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2140 pF @ 400 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Tc)
最大消費電力179W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)