STD8NM60N-1

STMicroelectronics

STD8NM60N-1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

旧品種TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 50 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
シリーズMDmesh™ II
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
最大消費電力70W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージI-PAK

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)