STD3N65M6

STMicroelectronics

STD3N65M6

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V DPAK

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 100 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズMDmesh™ M6
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
最大消費電力45W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージDPAK

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)