STB11NM80T4

STMicroelectronics

STB11NM80T4

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1630 pF @ 25 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズMDmesh™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大消費電力150W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージD2PAK

環境条件

動作温度-65°C~150°C(TJ)