SCTWA60N120G2-4

Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics

アナログ・電源

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

量産中TO-247-4アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1969 pF @ 800 V
メーカー	STMicroelectronics
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Active
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA

ドレイン-ソース間電圧	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
最大消費電力	388W (Tc)

動作温度	-55°C ~ 200°C (TJ)