SCTW40N120G2V

STMicroelectronics

SCTW40N120G2V

データシート

アナログ・電源

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1233 pF @ 800 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
最大消費電力278W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージHiP247™

環境条件

動作温度-55°C~200°C(TJ)