SCT10N120H

STMicroelectronics

SCT10N120H

データシート

アナログ・電源

SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

旧品種TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs690mOhm @ 6A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 400 V
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大消費電力150W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージH2Pak-2

環境条件

動作温度-55°C ~ 200°C (TJ)