NAND512R3A2AZA6E

STMicroelectronics

NAND512R3A2AZA6E

メモリ・ストレージ

IC FLASH 512MBIT PAR 55VFBGA

旧品種55-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND
アクセス時間60 ns
ベース品番NAND512
メーカーSTMicroelectronics
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間60ns

電気特性

メモリ容量512Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case55-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ55-VFBGA (8x10)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)