一般
| ベース品番 | MJD112 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Power - Max | 20 W |
| Frequency - Transition | 25MHz |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|