S2M0080120D

SMC Diode Solutions

S2M0080120D

データシート

アナログ・電源

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1324 pF @ 1000 V
メーカーSMC Diode Solutions
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc)
最大消費電力231W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247AD

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)