S2M0025120K

SMC Diode Solutions

S2M0025120K

データシート

アナログ・電源

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

量産中TO-247-4アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 50A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4402 pF @ 1000 V
メーカーSMC Diode Solutions
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 15mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A (Tc)
最大消費電力446W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-4

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)