一般
| 出力タイプ | Phototransistor |
|---|---|
| メーカー | Sharp Microelectronics |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 20µs, 20µs |
| Sensing Distance | 0.028" (0.7mm) |
| Sensing Method | Reflective |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| 出力タイプ | Phototransistor |
|---|---|
| メーカー | Sharp Microelectronics |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 20µs, 20µs |
| Sensing Distance | 0.028" (0.7mm) |
| Sensing Method | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD |
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C |
|---|