一般
| 出力構成 | Phototransistor |
|---|---|
| メーカー | Sharp Microelectronics |
| 実装タイプ | Snap-In |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 3µs, 4µs |
| Sensing Distance | 0.197" (5mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| タイプ | Unamplified |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Module, Connector |
環境条件
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C |
|---|