一般
| ベース品番 | GHXS020 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| メーカー | SemiQ |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 量産中 |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-227 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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