一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | SRAM - Asynchronous |
| メーカー | Samsung Semiconductor, Inc. |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tray |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 書き込みサイクル時間 | 55ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 4Mbit |
|---|---|
| メモリ形式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 電源電圧 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 512K x 8 |
機械特性
| サプライヤーデバイスパッケージ | 32-TSOP REVERSE |
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環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
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