K6X0808C1D-BF55

Samsung Semiconductor, Inc

K6X0808C1D-BF55

メモリ・ストレージ

SRAM ASYNC SLOW 256K 32Kx8 28-S

旧品種Tubeメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
メーカーSamsung Semiconductor, Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間55ns

電気特性

メモリ容量256Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization32K x 8

機械特性

パッケージTube
サプライヤーデバイスパッケージ28-SOP

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)