K6T4008C1C-GL55T00

Samsung Semiconductor, Inc

K6T4008C1C-GL55T00

メモリ・ストレージ

SRAM ASYNC SLOW 4MB 512Kx8 5V 32

旧品種メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
メーカーSamsung Semiconductor, Inc.
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス旧品種
書き込みサイクル時間55ns

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧5V
Memory Organization512K x 8

機械特性

サプライヤーデバイスパッケージ32-SOP

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)