K6F2016U4D-FF70T00

Samsung Semiconductor, Inc

K6F2016U4D-FF70T00

メモリ・ストレージ

SRAM ASYNC SLOW 2MB 128Kx16 3.3V

旧品種メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
メーカーSamsung Semiconductor, Inc.
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス旧品種
書き込みサイクル時間70ns

電気特性

メモリ容量2Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 16

機械特性

サプライヤーデバイスパッケージ48-FBGA (6x7)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)