K6E0808C1E-JC15000

Samsung Semiconductor, Inc

K6E0808C1E-JC15000

メモリ・ストレージ

SRAM ASYNC FAST 256K 32Kx8 5V 28

旧品種メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
メーカーSamsung Semiconductor, Inc.
実装タイプSurface Mount
梱包Tube
製品ステータス旧品種
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量256Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧5V
Memory Organization32K x 8

機械特性

サプライヤーデバイスパッケージ28-SOJ

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)