一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| メーカー | Samsung Semiconductor, Inc. |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 8Gbit |
|---|---|
| メモリ形式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| クロック周波数 | 1866 MHz |
| 電源電圧 | 1.1V |
| Memory Organization | 256M x 32 |
機械特性
| パッケージ | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
環境条件
| 動作温度 | -25°C ~ 85°C |
|---|