K4A4G085WE-BCRC

Samsung Semiconductor, Inc

K4A4G085WE-BCRC

メモリ・ストレージ

DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL

量産中78-FBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
メーカーSamsung Semiconductor, Inc.
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス量産中

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.2V
Memory Organization512M x 8

機械特性

Package / Case78-FBGA

環境条件

動作温度0°C ~ 95°C