SCT2H12NYTB

Name: SCT2H12NYTB
Brand: Rohm Semiconductor

アナログ・電源

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

量産中TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AAアナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 800 V
メーカー	Rohm Semiconductor
実装タイプ	Surface Mount
梱包	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス	量産中
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 410µA

ドレイン-ソース間電圧	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
最大消費電力	44W (Tc)

Package / Case	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-268

動作温度	175°C (TJ)