SCT2750NYTB

Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

データシート

アナログ・電源

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

量産中TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs975mOhm @ 1.7A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds275 pF @ 800 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 630µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.9A (Tc)
最大消費電力57W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
サプライヤーデバイスパッケージTO-268

環境条件

動作温度175°C(TJ)