RV4E031RPHZGTCR1

Rohm Semiconductor

RV4E031RPHZGTCR1

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

量産中6-PowerWFDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.1A, 10V
ベース品番RV4E031
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 10 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q101
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
最大消費電力1.5W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWFDFN
サプライヤーデバイスパッケージDFN1616-6W

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)