RSJ10HN06TL

Rohm Semiconductor

RSJ10HN06TL

アナログ・電源

MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

旧品種TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 10 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス旧品種
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Ta)
最大消費電力100W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージLPTS

環境条件

動作温度150°C (TJ)