RQ6E085BNTCR

Rohm Semiconductor

RQ6E085BNTCR

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457

量産中SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.4mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 15 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
最大消費電力1.25W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージTSMT6 (SC-95)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)