RQ6E080AJTCR

Rohm Semiconductor

RQ6E080AJTCR

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6

量産中SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1810 pF @ 15 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
最大消費電力950mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージTSMT6 (SC-95)

環境条件

動作温度150°C(TJ)