RQ3L050GNTB

Rohm Semiconductor

RQ3L050GNTB

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300 pF @ 30 V
メーカーRohm Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 25µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大消費電力14.8W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-HSMT (3.2x3)

環境条件

動作温度150°C(TJ)